摩尔定律快玩完了
一位IBM的研究人员表示，摩尔定律(Moore’s Law)已经油尽灯枯。这位IBM院士Carl Anderson在该公司服务器部门负责物理设计与工具；他是在最近的「2009年物理设计会议(Physical Design 2009 conference)」的一场座谈会上做出这样的预测。
Anderson认为，半导体尺寸与成本不断微缩的趋势即将走到尽头，而摩尔定律的时代也将结束。他表示，根据观察，半导体产业已经像是发展时间在前的铁路、汽车、航空产业领域那样走到了成熟点，创新的速度已经开始减缓。
「在19世纪，铁路产业呈现跳跃性的成长；汽车产业的跳跃成长则是在1930与1940年代，同时期航空器的性能也大跃进，直到音速技术问世。无论如何，跳跃性成长总会有结束的一天。」Anderson表示。
Anderson表示，仍有机会继续出现一到两代跳跃性成长的技术，仅剩那些先进芯片，例如多核心处理器；但大多数设计工程师都发现，日常应用所需的技术根本不需要最新的物理设计。也是因为如此，摩尔定律将在短时间之内失去效力。
而且现在越来越少有芯片制造商能负担不断攀升的、支应下一代技术研发设计的高昂成本，也越来越少有晶圆厂会制造那些高阶芯片。
Anderson 指出，尚有三种新一代技术可望能持续以平稳步伐取得跳跃式进步，它们是：光学互连(optical interconnects)、3D芯片，以及加速度处理技术(accelerator-based processing)。他预测，机架与机架间的光学互连将普及化，芯片与芯片间的光学互连技术也很快会跟上脚步。
不过芯片内的光学讯号传输恐怕还得等上几年才能实现；Anderson并预测，堆栈式的DRAM裸晶将会是首种走向3D架构的芯片。
Anderson是65位在该场会议上发表演说的半导体专家；该会议也揭示了一种新的合成关键路径(synthesizing critical paths)技术，也有不少创新模拟设计的发表，而年度物理设计竞赛得主名单也有一些大转变。
今年大会的最佳论文奖得主是美国明尼苏达大学(University of Minnesota)的Qunzeng Liu与Sachin Sapatnekar；该论文描述了一种在设计过程中合成关键路径的方法，该方案亦可做为后芯片(post-silicon)延迟预测的代表。
据论文作者表示，该代表性的关键路径能在后芯片强化良率的过程中，做为示警工具；该会议主席Gi-Joon Nam表示，在先进制程技术变异性所导致的疑虑与性能误差越来越多的情况下，后芯片分析与最佳化方案是很具吸引力的，能确实量测到变异性并改善芯片性能。
Nam 并补充指出，上述研究将会非常有用，尤其是在会产生显著变异性的高阶技术节点。透过仿真，能在合成代表性关键路径(representative critical path，RCP)时预测低于3%的误差；Sapatnekar的研究团队计划在芯片上对该技术进行测试，以确认RCP的效用。
此外来自EDA工具供货商Magma Design Automation、晶圆代工厂台积电(TSMC)，以及Bosch的专家，则预测模拟设计创新将会持续急速增加。
Magma 的Anirudth Devgan提出了一种抽象的，以参数化与模型为基础的模拟设计方案；台积电Austin设计中心总监Eric Soenen与Bosch的Goeran Jerke，则分别发表了创新模拟设计布线方法，以及提升自动化模拟设计工具效率与层级的方法。
至于本届会议的年度设计竞赛，题目是一项频率网络合成任务；有27支队伍参加，只有9队通过了考验。而最后决赛的三位胜利者，其中一位是来自美国密西根大学的研究生Dongjin Lee，以及两支分别来自台湾大学与交通大学的学生队伍。